PIROVANO, AGOSTINO

	Nome completo
	
					PIROVANO, AGOSTINO
				
	Afferenza
	
					DIPARTIMENTO DI ELETTRONICA E INFORMAZIONE (attivo dal 01/01/1900 al 31/12/2012)
				
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2D QM simulation and optimization of decanano non-overlapped MOS devices

2003-01-01 Gusmeroli, Riccardo; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Pirovano, Agostino; Lacaita, ANDREA LEONARDO; F., Boeuf; T., Skotnicki

Accurate Doping Profile Extraction Near the Si/SiO2 Interface with a Novel Low Temperature C-V Technique

2000-01-01 A., Benvenuti; Lacaita, ANDREA LEONARDO; A., Pacelli; Pirovano, Agostino

Assessment of threshold switching dynamics in phase-change chalcogenide memories

2005-01-01 Ielmini, Daniele; Lacaita, ANDREA LEONARDO; Mantegazza, Davide; F., Pellizzer; Pirovano, Agostino

Degradation dynamics for deep scaled p-MOSFET's during hot-carrier stress

2002-01-01 MONZIO COMPAGNONI, Christian; Pirovano, Agostino; Lacaita, ANDREA LEONARDO

Impact of Material Composition on the write performance of Phase-Change Memory Devices

2010-01-01 Boniardi, Mattia; Ielmini, Daniele; Lacaita, ANDREA LEONARDO; Redaelli, Andrea; Pirovano, Agostino; I., Tortorelli; M., Allegra

Multiphysics modeling of PCM devices for scaling investigation

2010-01-01 G., Ferrari; A., Ghetti; Ielmini, Daniele; Redaelli, Andrea; Pirovano, Agostino

Statistical and scaling behavior of structural relaxation effects in phase change memory (PCM) devices

2009-01-01 Boniardi, Mattia; Ielmini, Daniele; Lavizzari, Simone; Lacaita, ANDREA LEONARDO; Redaelli, Andrea; Pirovano, Agostino

Titolo	Data di pubblicazione	Autori
2D QM simulation and optimization of decanano non-overlapped MOS devices	1-gen-2003	GUSMEROLI, RICCARDOSOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDROPIROVANO, AGOSTINOLACAITA, ANDREA LEONARDOF. BOEUFT. SKOTNICKI + -
Accurate Doping Profile Extraction Near the Si/SiO2 Interface with a Novel Low Temperature C-V Technique	1-gen-2000	A. BenvenutiLACAITA, ANDREA LEONARDOA. PacelliPIROVANO, AGOSTINO + -
Assessment of threshold switching dynamics in phase-change chalcogenide memories	1-gen-2005	IELMINI, DANIELELACAITA, ANDREA LEONARDOMANTEGAZZA, DAVIDEF. PellizzerPIROVANO, AGOSTINO + -
Degradation dynamics for deep scaled p-MOSFET's during hot-carrier stress	1-gen-2002	MONZIO COMPAGNONI, CHRISTIANPIROVANO, AGOSTINOLACAITA, ANDREA LEONARDO
Impact of Material Composition on the write performance of Phase-Change Memory Devices	1-gen-2010	BONIARDI, MATTIAIELMINI, DANIELELACAITA, ANDREA LEONARDOREDAELLI, ANDREAPIROVANO, AGOSTINOI. TortorelliM. Allegra + -
Multiphysics modeling of PCM devices for scaling investigation	1-gen-2010	G. FerrariA. GhettiIELMINI, DANIELEREDAELLI, ANDREAPIROVANO, AGOSTINO + -
Statistical and scaling behavior of structural relaxation effects in phase change memory (PCM) devices	1-gen-2009	BONIARDI, MATTIAIELMINI, DANIELELAVIZZARI, SIMONELACAITA, ANDREA LEONARDOREDAELLI, ANDREAPIROVANO, AGOSTINO

RE.PUBLIC@POLIMI pubblicazioni di ricerca del Politecnico di Milano