PIROVANO, AGOSTINO
PIROVANO, AGOSTINO
DIPARTIMENTO DI ELETTRONICA E INFORMAZIONE (attivo dal 01/01/1900 al 31/12/2012)
2D QM simulation and optimization of decanano non-overlapped MOS devices
2003-01-01 Gusmeroli, Riccardo; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Pirovano, Agostino; Lacaita, ANDREA LEONARDO; F., Boeuf; T., Skotnicki
Accurate Doping Profile Extraction Near the Si/SiO2 Interface with a Novel Low Temperature C-V Technique
2000-01-01 A., Benvenuti; Lacaita, ANDREA LEONARDO; A., Pacelli; Pirovano, Agostino
Assessment of threshold switching dynamics in phase-change chalcogenide memories
2005-01-01 Ielmini, Daniele; Lacaita, ANDREA LEONARDO; Mantegazza, Davide; F., Pellizzer; Pirovano, Agostino
Degradation dynamics for deep scaled p-MOSFET's during hot-carrier stress
2002-01-01 MONZIO COMPAGNONI, Christian; Pirovano, Agostino; Lacaita, ANDREA LEONARDO
Impact of Material Composition on the write performance of Phase-Change Memory Devices
2010-01-01 Boniardi, Mattia; Ielmini, Daniele; Lacaita, ANDREA LEONARDO; Redaelli, Andrea; Pirovano, Agostino; I., Tortorelli; M., Allegra
Low-energy, high-accuracy convolutional network inference in 3D crosspoint (3DXP) arrays
2024-01-01 Carletti, F.; Farronato, M.; Lepri, N.; Tortorelli, I.; Pirovano, A.; Fantini, P.; Ielmini, D.
Multiphysics modeling of PCM devices for scaling investigation
2010-01-01 G., Ferrari; A., Ghetti; Ielmini, Daniele; Redaelli, Andrea; Pirovano, Agostino
Statistical and scaling behavior of structural relaxation effects in phase change memory (PCM) devices
2009-01-01 Boniardi, Mattia; Ielmini, Daniele; Lavizzari, Simone; Lacaita, ANDREA LEONARDO; Redaelli, Andrea; Pirovano, Agostino