Statistical and scaling behavior of structural relaxation effects in phase change memory (PCM) devices
BONIARDI, MATTIA;IELMINI, DANIELE;LAVIZZARI, SIMONE;LACAITA, ANDREA LEONARDO;REDAELLI, ANDREA;PIROVANO, AGOSTINO
2009-01-01
File in questo prodotto:
| File | Dimensione | Formato | |
|---|---|---|---|
|
irps09_bon.pdf
Accesso riservato
:
Altro materiale allegato
Dimensione
394.39 kB
Formato
Adobe PDF
|
394.39 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
