AMOROSO, SALVATORE MARIA
AMOROSO, SALVATORE MARIA
Accuracy and issues of the spectroscopic analysis of RTN traps in nanoscale MOSFETs
2013-01-01 F., Adamu Lema; MONZIO COMPAGNONI, Christian; Amoroso, SALVATORE MARIA; Castellani, Niccolo'; L., Gerrer; S., Markov; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Lacaita, ANDREA LEONARDO; A., Asenov
Charge retention phenomena in charge transfer silicon nitride: impact of technology and operating conditions
2011-01-01 G., Ghidini; N., Galbiati; E., Mascellino; C., Scozzari; A., Sebastiani; Amoroso, SALVATORE MARIA; MONZIO COMPAGNONI, Christian; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Maconi, Alessandro; R., Piagge; A., Del Vitto; M., Alessandri; I., Baldi; E., Moltrasio; G., Albini; A., Grossi; P., Tessariol; E., Camerlenghi; A., Mauri
Comprehensive investigation of statistical effects in nitride memories - Part I: Physics-based modeling
2010-01-01 A., Mauri; MONZIO COMPAGNONI, Christian; Amoroso, SALVATORE MARIA; Maconi, Alessandro; A., Ghetti; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Lacaita, ANDREA LEONARDO
Comprehensive investigation of statistical effects in nitride memories - Part II: Scaling analysis and impact on device performance
2010-01-01 MONZIO COMPAGNONI, Christian; A., Mauri; Amoroso, SALVATORE MARIA; Maconi, Alessandro; E., Greco; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Lacaita, ANDREA LEONARDO
Comprehensive numerical simulation of threshold-voltage transients in nitride memories
2011-01-01 A., Mauri; Amoroso, SALVATORE MARIA; MONZIO COMPAGNONI, Christian; Maconi, Alessandro; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro
Impact of cell shape on random telegraph noise in decananometer Flash memories
2012-01-01 Amoroso, SALVATORE MARIA; A., Ghetti; A. R., Brown; A., Mauri; MONZIO COMPAGNONI, Christian; A., Asenov
Impact of neutral threshold-voltage spread and electron-emission statistics on data retention of nanoscale NAND Flash
2010-01-01 Miccoli, Carmine; MONZIO COMPAGNONI, Christian; Amoroso, SALVATORE MARIA; A., Spessot; P., Fantini; A., Visconti; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro
Impact of nonuniform doping on random telegraph noise in Flash memory device
2012-01-01 A., Ghetti; Amoroso, SALVATORE MARIA; A., Mauri; MONZIO COMPAGNONI, Christian
Investigation of the RTN distribution of nanoscale MOS devices from subthreshold to on-state
2013-01-01 Amoroso, SALVATORE MARIA; MONZIO COMPAGNONI, Christian; Ghetti, A.; Gerrer, L.; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Lacaita, ANDREA LEONARDO; Asenov, A.
Physical modeling for programming of TANOS memories in the Fowler-Nordheim regime
2009-01-01 MONZIO COMPAGNONI, Christian; A., Mauri; Amoroso, SALVATORE MARIA; Maconi, Alessandro; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro
Quantum-mechanical charge distribution in cylindrical gate-all-around MOS devices
2012-01-01 SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; MONZIO COMPAGNONI, Christian; Maconi, Alessandro; Amoroso, SALVATORE MARIA; Lacaita, ANDREA LEONARDO
Semi-analytical model for the transient operation of gate-all-around charge-trap memories
2011-01-01 Amoroso, SALVATORE MARIA; MONZIO COMPAGNONI, Christian; A., Mauri; Maconi, Alessandro; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Lacaita, ANDREA LEONARDO
Three-dimensional simulation of charge-trap memory programming - Part I: Average behavior
2011-01-01 Amoroso, SALVATORE MARIA; Maconi, Alessandro; A., Mauri; MONZIO COMPAGNONI, Christian; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Lacaita, ANDREA LEONARDO
Three-dimensional simulation of charge-trap memory programming - Part II: Variability
2011-01-01 Maconi, Alessandro; Amoroso, SALVATORE MARIA; MONZIO COMPAGNONI, Christian; A., Mauri; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Lacaita, ANDREA LEONARDO