FIORUCCI, ALESSANDRO
FIORUCCI, ALESSANDRO
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Film Morphology and Process Conditions in Epitaxial Silicon Carbide Growth via Chlorides Route
2007-01-01 Masi, Maurizio; Veneroni, Alessandro; Fiorucci, Alessandro; F., LA VIA; G., Foti; M., Mauceri; S., Leone; G., Pistone; G., Condorelli; G., Abbondanza; Valente, Gianluca; D., Crippa
Homoepitaxial silicon carbide deposition processes via chlorine routes
2007-01-01 Fiorucci, Alessandro; Moscatelli, Davide; Masi, Maurizio
Mechanism of n-doping of silicon carbide epitaxial films
2007-01-01 Fiorucci, Alessandro; Moscatelli, Davide; Masi, Maurizio
Multiscale investigation of the influence of surface morphology on thin film CVD
2007-01-01 Barbato, Alessandro; Fiorucci, Alessandro; Rondanini, Maurizio; Cavallotti, CARLO ALESSANDRO
Multiscale simulation for epitaxial silicon carbide growth by chlorides route
2010-01-01 Masi, Maurizio; Fiorucci, Alessandro; M., Camarda; A. La Magna, A.; F., La Via
p-Doping mechanism in HTCVD silicon carbide
2007-01-01 Fiorucci, Alessandro; Moscatelli, Davide; Masi, Maurizio