Poly-Si Channel-Induced Time Instability of 3D NAND Flash Cell Threshold-Voltage: A Comprehensive Temperature Analysis

D. G. Refaldi;G. Malavena;M. Burattini;D. Zerbini;A. Sottocornola Spinelli;C. Monzio Compagnoni
2026-01-01

2026
Proc. IEEE International Reliability Physics Symposium (Proc. IEEE-IRPS)
979-8-3315-8971-4
sezele
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