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Simulation of silicon thermal oxidation and stress analysis in flash memory technology
2003-01-01 A., Beretta; Masi, Maurizio; Veneroni, Alessandro
CVD: from process to properties
2003-01-01 Carra', Sergio; Cavallotti, CARLO ALESSANDRO; DI STANISLAO, MARCO SANTE; Masi, Maurizio; Veneroni, Alessandro
A multiscale approach to the study of epitaxial film evolution during MOCVD
2003-01-01 Carra', Sergio; Cavallotti, CARLO ALESSANDRO; Masi, Maurizio; Moscatelli, Davide; Veneroni, Alessandro
Fluid-dynamics during vapor epitaxy and modeling
2003-01-01 Masi, Maurizio; DI STANISLAO, MARCO SANTE; Veneroni, Alessandro
Multiscale simulation of thin films growth: a new paradigm for chemical reaction engineering
2004-01-01 Cavallotti, CARLO ALESSANDRO; M., Di Stanislao; Masi, Maurizio; Veneroni, Alessandro
Deposizione epitassiale di carburo di silicio: un esempio di sinergia tra reattoristica e ingegneria delle reazioni chimiche nella progettazione di reattori e processi per la produzione di materiali innovativi
2004-01-01 G., Abbondanza; S., Leone; Masi, Maurizio; M., Mauceri; F., Omarini; G., Pistone; Veneroni, Alessandro
A combined three-dimensional kinetic Monte Carlo and quantum chemistry study of the CVD of Si on Si(100) surfaces
2004-01-01 Cavallotti, CARLO ALESSANDRO; Barbato, Alessandro; Veneroni, Alessandro
Silicon carbide growth mechanism from SiH4, SiHCl3 and nC3H8
2005-01-01 Veneroni, Alessandro; F., Omarini; Masi, Maurizio
A multiscale study of the epitaxial CVD of Si from chlorosilanes
2005-01-01 Cavallotti, CARLO ALESSANDRO; Moscatelli, Davide; Veneroni, Alessandro
Multi-hierachy design approach of a new MOCVD reactor for heteroepitaxial GaAs deposition on large scale Ge substrates for the manufacture of satellite-use solar cells
2005-01-01 Cavallotti, CARLO ALESSANDRO; Masi, Maurizio; Moscatelli, Davide; Veneroni, Alessandro
Multiscale simulation in crystal growth from the vapor phase
2005-01-01 Cavallotti, CARLO ALESSANDRO; DI STANISLAO, MARCO SANTE; Masi, Maurizio; Veneroni, Alessandro
Modeling of epitaxial silicon carbide deposition
2005-01-01 G., Abbondanza; S., Leone; Masi, Maurizio; M., Mauceri; Moscatelli, Davide; F., Omarini; G., Pistone; Veneroni, Alessandro
Multiscale simulation of silicon film growth
2005-01-01 Cavallotti, CARLO ALESSANDRO; E., Pantano; Veneroni, Alessandro; Masi, Maurizio
Epitaxial Deposition of Silicon Carbide Films in a Horizontal Hotwall CVD Reactor
2005-01-01 Veneroni, Alessandro; F., Omarini; Masi, Maurizio; S., Leone; M., Mauceri; G., Pistone; G., Abbondanza
New Achievements on CVD Based Methods for SiC Epitaxial Growth
2005-01-01 D., Crippa; Valente, Gianluca; A., Ruggiero; L., Neri; R., Reitano; L., Calcagno; G., Foti; M., Mauceri; S., Leone; G., Pistone; G., Abbondanza; G., Abbagnale; Veneroni, Alessandro; F., Omarini; Zamolo, Laura; Masi, Maurizio; F, Roccaforte; F., Giannazzo; S., DI FRANCO; F., LA VIA
Horizontal hot wall reactor design for epi-SiC growth
2005-01-01 Veneroni, Alessandro; F., Omarini; Masi, Maurizio; S., Leone; M., Mauceri; G., Pistone; G., Abbondanza
Epitaxial deposition of silicon carbide films in a horizontal hot-wall CVD reactor
2005-01-01 G., Abbondanza; S., Leone; Masi, Maurizio; M., Mauceri; F., Omarini; G., Pistone; Veneroni, Alessandro
Materials computation towards technological impact: the multiscale approach to thin films deposition
2005-01-01 Cavallotti, CARLO ALESSANDRO; M., DI STANISLAO; Moscatelli, Davide; Veneroni, Alessandro
Designing a large scale CVD reactor for GaAs growth on Ge substrates by multi-hierachy modeling
2005-01-01 Moscatelli, Davide; Veneroni, Alessandro; Cavallotti, CARLO ALESSANDRO; Masi, Maurizio; Bosi, M; Attolini, G; Pelosi, C.
Modeling of large-scale horizontal reactor for silicon epitaxy
2005-01-01 Masi, Maurizio; Moscatelli, Davide; Veneroni, Alessandro
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