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High growth rate process in a SiC horizontal CVD reactor using HCl
2006-01-01 F., LA VIA; G., Galvagno; F., Roccaforte; F., Giannazzo; S., DI FRANCO; A., Ruggiero; R., Reitano; L., Calcagno; G., Foti; M., Mauceri; S., Leone; G., Pistone; F., Portuese; G., Abbondanza; G., Abbagnale; Veneroni, Alessandro; F., Omarini; Zamolo, Laura; Masi, Maurizio; G. L., Valente; D., Crippa
Gas-phase and surface kinetics of epitaxial silicon carbide growth involving chlorine-containing species
2006-01-01 Veneroni, Alessandro; Masi, Maurizio
A new MOVPE reactor for heteroepitaxial GaAs deposition on large-scale Ge substrates
2006-01-01 G., Attolini; B., Bosi; Masi, Maurizio; Moscatelli, Davide; C., Pelosi; Veneroni, Alessandro
4H SiC epitaxial growth with chlorine addition
2006-01-01 F., LA VIA; G., Galvagno; G., Foti; M., Mauceri; S., Leone; G., Pistone; G., Abbondanza; Veneroni, Alessandro; Masi, Maurizio; G. L., Valente; D., Crippa
Film Morphology and Process Conditions in Epitaxial Silicon Carbide Growth via Chlorides Route
2007-01-01 Masi, Maurizio; Veneroni, Alessandro; Fiorucci, Alessandro; F., LA VIA; G., Foti; M., Mauceri; S., Leone; G., Pistone; G., Condorelli; G., Abbondanza; Valente, Gianluca; D., Crippa
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