Three-dimensional electrostatics- and atomistic doping-induced variability of RTN time constants in nanoscale MOS devices - Part I: physical investigation
CASTELLANI, NICCOLO';MONZIO COMPAGNONI, CHRISTIAN;SOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDRO;LACAITA, ANDREA LEONARDO
2012-01-01
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
ted12_4.pdf
Accesso riservato
:
Post-Print (DRAFT o Author’s Accepted Manuscript-AAM)
Dimensione
444.25 kB
Formato
Adobe PDF
|
444.25 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.