Three-dimensional electrostatics- and atomistic doping-induced variability of RTN time constants in nanoscale MOS devices - Part I: physical investigation

CASTELLANI, NICCOLO';MONZIO COMPAGNONI, CHRISTIAN;SOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDRO;LACAITA, ANDREA LEONARDO
2012-01-01

2012
sezele
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
ted12_4.pdf

Accesso riservato

: Post-Print (DRAFT o Author’s Accepted Manuscript-AAM)
Dimensione 444.25 kB
Formato Adobe PDF
444.25 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11311/676348
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 20
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 15
social impact