Experimental and numerical demonstration of threshold voltage asymmetry and synaptic plasticity in MoS2 transistors

Farronato, Matteo;Porzani, Matteo;Ielmini, Daniele
2026-01-01

2026
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
2026_apl.pdf

Accesso riservato

: Publisher’s version
Dimensione 4.08 MB
Formato Adobe PDF
4.08 MB Adobe PDF   Visualizza/Apri

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11311/1319045
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact