Cycling-induced degradation of metal-oxide resistive switching memory (RRAM)

AMBROGIO, STEFANO;BALATTI, SIMONE;IELMINI, DANIELE
2015-01-01

2015
IEDM Tech. Dig.
978-1-4673-9894-7
978-1-4673-9894-7
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
PID1163924.pdf

Accesso riservato

: Post-Print (DRAFT o Author’s Accepted Manuscript-AAM)
Dimensione 905.01 kB
Formato Adobe PDF
905.01 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11311/984369
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 11
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 5
social impact