Noise-Induced Resistance Broadening in Resistive Switching Memory-Part II: Array Statistics

AMBROGIO, STEFANO;BALATTI, SIMONE;IELMINI, DANIELE
2015-01-01

2015
Low-frequency noise; memory reliability; random telegraph noise (RTN); reliability modeling; resistive switching memory (RRAM); statistical Monte Carlo modeling.; Electrical and Electronic Engineering; Electronic, Optical and Magnetic Materials
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