RE.PUBLIC@POLIMI pubblicazioni di ricerca del Politecnico di Milano

Noise-Induced Resistance Broadening in Resistive Switching Memory-Part I: Intrinsic Cell Behavior

AMBROGIO, STEFANO;BALATTI, SIMONE;IELMINI, DANIELE
2015-01-01
2015
1/f noise; low-frequency noise; memory reliability; random telegraph noise (RTN); reliability modeling; resistive switching memory (RRAM).; Electrical and Electronic Engineering; Electronic, Optical and Magnetic Materials
01.1 Articolo in Rivista
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