RE.PUBLIC@POLIMI pubblicazioni di ricerca del Politecnico di Milano

Analytical modeling of oxide-based bipolar resistive memories and complementary resistive switches

AMBROGIO, STEFANO;BALATTI, SIMONE;IELMINI, DANIELE
2014-01-01
2014
Complementary resistive switching (CRS); crossbar array; ion migration; metal insulator transition; resistive switching; resistive-switching random access memory (RRAM); Electrical and Electronic Engineering; Electronic, Optical and Magnetic Materials
01.1 Articolo in Rivista
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