Multiple memory states in resistive switching devices through controlled size and orientation of the conductive filament

BALATTI, SIMONE;IELMINI, DANIELE
2013-01-01

2013
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
advmat13.pdf

Accesso riservato

: Post-Print (DRAFT o Author’s Accepted Manuscript-AAM)
Dimensione 915.28 kB
Formato Adobe PDF
915.28 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11311/764544
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 143
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 131
social impact