Investigation of quantum effects in highly-doped MOSFETs by means of a self-consistent 2D model

SOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDRO;PACELLI, ANDREA
1996-01-01

1996
-
0780333934
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
spinelli-iedm96.pdf

Accesso riservato

: Post-Print (DRAFT o Author’s Accepted Manuscript-AAM)
Dimensione 318.97 kB
Formato Adobe PDF
318.97 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11311/657091
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact