Modeling of stress-induced leakage current and impact ionization in MOS devices
IELMINI, DANIELE;SOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDRO;LACAITA, ANDREA LEONARDO;
2002-01-01
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
ielmini-sse02-1.pdf
Accesso riservato
:
Post-Print (DRAFT o Author’s Accepted Manuscript-AAM)
Dimensione
157.76 kB
Formato
Adobe PDF
|
157.76 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.