Structural relaxation in chalcogenide-based phase change memories (PCMs): from defect-annihilation kinetic to device-reliability prediction
LAVIZZARI, SIMONE;IELMINI, DANIELE;SHARMA, DEEPAK;LACAITA, ANDREA LEONARDO
2008-01-01
File in questo prodotto:
| File | Dimensione | Formato | |
|---|---|---|---|
|
543010.pdf
Accesso riservato
:
Altro materiale allegato
Dimensione
405.31 kB
Formato
Adobe PDF
|
405.31 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
