Si descrive un nuovo metodo per la programmazione/cancellazione volta a minimizzare gli effetti di detrapping in ritenzione.

Method for programming/erasing a non volatile memory cell device, in particular for flash type memories

IELMINI, DANIELE;SOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDRO;
2007

Abstract

Si descrive un nuovo metodo per la programmazione/cancellazione volta a minimizzare gli effetti di detrapping in ritenzione.
sezele
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
patentST2007-EU.pdf

Accesso riservato

: Post-Print (DRAFT o Author’s Accepted Manuscript-AAM)
Dimensione 34.39 kB
Formato Adobe PDF
34.39 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11311/272025
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact