FINAZZI, LORENZO
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 157
EU - Europa 155
NA - Nord America 65
SA - Sud America 23
AF - Africa 7
Totale 407
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 63
CN - Cina 59
RU - Federazione Russa 57
SG - Singapore 39
IT - Italia 38
KR - Corea 27
BR - Brasile 18
GB - Regno Unito 17
NL - Olanda 12
DE - Germania 11
HK - Hong Kong 10
CH - Svizzera 9
FR - Francia 8
VN - Vietnam 6
MA - Marocco 5
TR - Turchia 5
AR - Argentina 3
IN - India 3
AT - Austria 2
BD - Bangladesh 2
CO - Colombia 2
ID - Indonesia 2
JP - Giappone 2
BB - Barbados 1
CI - Costa d'Avorio 1
KZ - Kazakistan 1
MX - Messico 1
PH - Filippine 1
SE - Svezia 1
ZA - Sudafrica 1
Totale 407
Città #
Singapore 30
Hefei 21
Ashburn 16
Seoul 16
Milan 13
Beijing 12
Lallio 12
Dallas 7
Kent 7
Eindhoven 6
Hong Kong 6
Council Bluffs 5
Sivas 5
Casablanca 4
Chicago 4
Edinburgh 4
London 4
Moscow 4
Shanghai 4
Frankfurt am Main 3
Ho Chi Minh City 3
Los Angeles 3
Rome 3
Santa Clara 3
Zhengzhou 3
Amsterdam 2
Berlin 2
Buffalo 2
Buk-gu 2
Charlottesville 2
City of Westminster 2
Filiano 2
Freiburg im Breisgau 2
Geldermalsen 2
Geldrop 2
Geneva 2
Houston 2
Manassas 2
Monza 2
New Delhi 2
Redondo Beach 2
Rivaz 2
Ryūgasaki 2
Seodaemun-gu 2
Sheffield 2
Suzhou 2
São Paulo 2
Villeret 2
Zurich 2
Albaredo d'Adige 1
Aracaju 1
Araruama 1
Araxá 1
Barra 1
Boardman 1
Boston 1
Bridgetown 1
Brooklyn 1
Cametá 1
Castilho 1
Concordia 1
Duque de Caxias 1
Feira de Santana 1
Franca 1
Guarulhos 1
Hackney 1
Hanoi 1
Iguatu 1
Indore 1
Itaquaquecetuba 1
Jakarta 1
Kenitra 1
Laferrere 1
Lauterbourg 1
Los Cocos 1
Magangué 1
Medellín 1
Mexico City 1
Montesilvano Marina 1
New York 1
Novo Hamburgo 1
Paris 1
Portsmouth 1
Pretoria 1
Quezon City 1
Renens 1
Rio de Janeiro 1
Salt Lake City 1
Sapiranga 1
Shymkent 1
Stockholm 1
Tampa 1
Verona 1
Vienna 1
Vĩnh Tường 1
Yên Bái 1
Totale 293
Nome #
Low-noise InGaAs/InP SPAD with photon detection efficiency exceeding 50% at 1550 nm 202
Modeling and Design of GeSn Avalanche Photodiodes With High Tin Content for Applications at 3.3 μm 101
From front-side to back-side illumination of InGaAs/InP SPADs for photon detection efficiency enhancement 80
DCR reduction via laser annealing on proton-irradiated InGaAs/InP SPADs for space applications 28
Totale 411
Categoria #
all - tutte 765
article - articoli 223
book - libri 0
conference - conferenze 542
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.530


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/2025121 0 0 5 0 3 3 0 3 8 35 29 35
2025/2026290 77 75 69 62 7 0 0 0 0 0 0 0
Totale 411