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1996-01-01 SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Pacelli, Andrea; Lacaita, ANDREA LEONARDO

1996-01-01 SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; A., Benvenuti; Pacelli, Andrea

1998-01-01 Pacelli, Andrea; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Lacaita, ANDREA LEONARDO

1998-01-01 SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; A., Benvenuti; Pacelli, Andrea

1998-01-01 Pacelli, Andrea; Lacaita, ANDREA LEONARDO; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; R., Bez

1999-01-01 Pacelli, Andrea; SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Perron, LAURA MARIA

2000-01-01 SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Pacelli, Andrea; Lacaita, ANDREA LEONARDO

2001-01-01 SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Pacelli, Andrea; Lacaita, ANDREA LEONARDO

2002-01-01 SOTTOCORNOLA SPINELLI, Alessandro; Pacelli, Andrea; Lacaita, ANDREA LEONARDO

Titolo	Data di pubblicazione	Autori
Dead space approximation for impact ionization in silicon	1-gen-1996	SOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDROPACELLI, ANDREALACAITA, ANDREA LEONARDO
Investigation of quantum effects in highly-doped MOSFETs by means of a self-consistent 2D model	1-gen-1996	SOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDROA. BenvenutiPACELLI, ANDREA + -
Impact ionization in silicon: A microscopic view	1-gen-1998	PACELLI, ANDREASOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDROLACAITA, ANDREA LEONARDO
Self-Consistent 2-D Model for Quantum Effects in n-MOS Transistors	1-gen-1998	SOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDROA. BenvenutiPACELLI, ANDREA + -
Effect of N2O nitridation on the eletrical properties of MOS gate oxides	1-gen-1998	PACELLI, ANDREALACAITA, ANDREA LEONARDOSOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDROR. Bez + -
Carrier quantization at flat bands in MOS devices	1-gen-1999	PACELLI, ANDREASOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDROPERRON, LAURA MARIA
Polysilicon quantization effects on the electrical properties of MOS transistors	1-gen-2000	SOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDROPACELLI, ANDREALACAITA, ANDREA LEONARDO
An improved formula for the determination of the polysilicon doping	1-gen-2001	SOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDROPACELLI, ANDREALACAITA, ANDREA LEONARDO
Simulation of polysilicon quantization and its effect on n-and p-MOSFET performance	1-gen-2002	SOTTOCORNOLA SPINELLI, ALESSANDROPACELLI, ANDREALACAITA, ANDREA LEONARDO

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