Dislocation distribution across ultrathin silicon-on-insulator with epitaxial SiGe stressor

	Anno di pubblicazione
	
				2013
			
	Titolo della rivista
	
				APPLIED PHYSICS LETTERS
			
	Appare nelle tipologie:
	
				01.1 Articolo in Rivista

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11311/862155

RE.PUBLIC@POLIMI pubblicazioni di ricerca del Politecnico di Milano