Effects of As pressure on the quality of GaAs/AlGaAs quantum dots grown on silicon by droplet epitaxy

	Anno di pubblicazione
	
			2013
		
	Titolo della rivista
	
			JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
		
	Appare nelle tipologie:
	
			01.1 Articolo in Rivista

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11311/862154

RE.PUBLIC@POLIMI pubblicazioni di ricerca del Politecnico di Milano