E' stata brevettata una struttura di dispositivo SPAD (Single Photon Avalanche Diode) realizzata su substrato epitassiale. La giunzione np realizzata tra substrato e strato epitassiale consente di ridurre le code di diffusione e la loro dipendenza dalla lunghezza d'onda del fotone incidente.
Fotodiodo con soppressione degli effetti legati alla raccolta per diffusione di portatori di carica fotogenerati
COVA, SERGIO;LACAITA, ANDREA LEONARDO;GHIONI, MASSIMO ANTONIO
1992-01-01
Abstract
E' stata brevettata una struttura di dispositivo SPAD (Single Photon Avalanche Diode) realizzata su substrato epitassiale. La giunzione np realizzata tra substrato e strato epitassiale consente di ridurre le code di diffusione e la loro dipendenza dalla lunghezza d'onda del fotone incidente.File in questo prodotto:
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