IEEE Catalog Number 99 CH 3631-8, IEEE Publishing Services, New York (1999).
Explaining the Dependences of Electron and Hole Mobilities in Si MOSFETs Inversion Layer
LACAITA, ANDREA LEONARDO;
1999-01-01
Abstract
IEEE Catalog Number 99 CH 3631-8, IEEE Publishing Services, New York (1999).File in questo prodotto:
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