La presente invenzione riguarda un processo per la produzione su larga scala di celle solari su tecnologia a film sottili di CdTe/CdS e che comprende le seguenti fasi successione: deposizione di un film sottile di ossido conduttivo trasparente depositato direttamente su un substrato di materiale trasparente di partenza, deposizione di un film sottile di CdS depositato direttamente sul film di ossido conduttivo, deposizione di un film sottile di CdTe depositato direttamente sul film di CdS, attivazione del film di CdTe, realizzazione di retrocontatti elettrici sul film di CdTe precedentemente attivato. L’attivazione del film di CdTe comprende i seguenti stadi operativi: introdurre la struttura materiale trasparente / ossido conduttivo / CdS / CdTe in una camera dove essa è scaldata sino ad una temperatura compresa nell’intervallo di temperatura tra circa 380°C e circa 420°C, introdurre in detta camera una miscela gassosa comprendente un gas inerte e un composto chimico scelto tra gli idrocarburi clorurati la cui temperatura di decomposizione sia compatibile con detto intervallo di temperatura e la cui decomposizione produca HCl e/o radicali Cl, in modo che essi siano in grado di reagire con il film di CdTe ed originare specie clorurate di Cd e Te, mantenere a contatto detta miscela gassosa e detto film di CdTe per un tempo sufficiente al compiersi di processi di ricristallizzazione del CdTe, rimuovere i prodotti di reazione mediante aspirazione sottovuoto o flusso di gas inerte.

Processo di attivazione di film di tellururo di cadmio per tecnologie fotovoltaiche

MASI, MAURIZIO;MOSCATELLI, DAVIDE;BOGANA, MATTEO PAOLO
2008

Abstract

La presente invenzione riguarda un processo per la produzione su larga scala di celle solari su tecnologia a film sottili di CdTe/CdS e che comprende le seguenti fasi successione: deposizione di un film sottile di ossido conduttivo trasparente depositato direttamente su un substrato di materiale trasparente di partenza, deposizione di un film sottile di CdS depositato direttamente sul film di ossido conduttivo, deposizione di un film sottile di CdTe depositato direttamente sul film di CdS, attivazione del film di CdTe, realizzazione di retrocontatti elettrici sul film di CdTe precedentemente attivato. L’attivazione del film di CdTe comprende i seguenti stadi operativi: introdurre la struttura materiale trasparente / ossido conduttivo / CdS / CdTe in una camera dove essa è scaldata sino ad una temperatura compresa nell’intervallo di temperatura tra circa 380°C e circa 420°C, introdurre in detta camera una miscela gassosa comprendente un gas inerte e un composto chimico scelto tra gli idrocarburi clorurati la cui temperatura di decomposizione sia compatibile con detto intervallo di temperatura e la cui decomposizione produca HCl e/o radicali Cl, in modo che essi siano in grado di reagire con il film di CdTe ed originare specie clorurate di Cd e Te, mantenere a contatto detta miscela gassosa e detto film di CdTe per un tempo sufficiente al compiersi di processi di ricristallizzazione del CdTe, rimuovere i prodotti di reazione mediante aspirazione sottovuoto o flusso di gas inerte.
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