Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient

Bergamini, F.; Bertuccio, G.; Canino, M.; Moscatelli, F.; Nipoti, R.; Poggi, A.

RE.PUBLIC@POLIMI Research Publications at Politecnico di Milano

Re.Public@Polimi, archivio istituzionale dei prodotti della ricerca, è il punto di raccolta, conservazione e disseminazione della produzione scientifica del Politecnico di Milano
E' basato su IRIS, il nuovo sistema di gestione dei dati della ricerca (persone, progetti, pubblicazioni, attività) adottato dall’ateneo

Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient / F. Bergamini; G. Bertuccio; M. Canino; F. Moscatelli; R. Nipoti; A. Poggi. - 527-529(2006), pp. 815-818. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 tenutosi a Pittsburgh, Pennsylvania (USA) nel 18-23 september.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11311/263321

Titolo:	Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient
Autori interni:	BERTUCCIO, GIUSEPPE
Data di pubblicazione:	2006
Handle:	http://hdl.handle.net/11311/263321
Appare nelle tipologie:	04.1 Contributo in Atti di convegno

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Citazioni
ND
ND

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.