Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient / F. Bergamini; G. Bertuccio; M. Canino; F. Moscatelli; R. Nipoti; A. Poggi. - 527-529(2006), pp. 815-818. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 tenutosi a Pittsburgh, Pennsylvania (USA) nel 18-23 september.
Titolo: | Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 2006 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11311/263321 |
Appare nelle tipologie: | 04.1 Contributo in Atti di convegno |
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