Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient

Bergamini, F.; Bertuccio, Giuseppe; Canino, M.; Moscatelli, F.; Nipoti, R.; Poggi, A.

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Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient / F. Bergamini; G. Bertuccio; M. Canino; F. Moscatelli; R. Nipoti; A. Poggi. - 527-529(2006), pp. 815-818. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 tenutosi a Pittsburgh, Pennsylvania (USA) nel 18-23 september.

Titolo:	Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient
Autori:	F. Bergamini BERTUCCIO, GIUSEPPE M. Canino F. Moscatelli R. Nipoti A. Poggi mostra autori esterni nascondi autori esterni
Data di pubblicazione:	2006
Handle:	http://hdl.handle.net/11311/263321
Appare nelle tipologie:	04.1 Contributo in Atti di convegno

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