Heterojunction photodiodes fabricated form Ge/Si (100) layers grown by low-energy plasma-enhanced CVD

Isella, G.; Kaufmann, R.; Kummer, M.; Osmond, J.; Von Kaenel, H.

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Heterojunction photodiodes fabricated form Ge/Si (100) layers grown by low-energy plasma-enhanced CVD / G. Isella; R. Kaufmann; M. Kummer; J. Osmond; H. Von Kaenel. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - 1:1(2007), pp. 26-28.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11311/262208

Titolo:	Heterojunction photodiodes fabricated form Ge/Si (100) layers grown by low-energy plasma-enhanced CVD
Autori interni:	ISELLA, GIOVANNI OSMOND, JOHANN
Data di pubblicazione:	2007
Rivista:	SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Handle:	http://hdl.handle.net/11311/262208
Appare nelle tipologie:	01.1 Articolo in Rivista

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