È descritto un dispositivo preamplificatore di carica (100) integrato in una piastrina di materiale semiconduttore (200) comprendente: un ingresso (IN) per un segnale di ingresso (iIN) ed un’uscita (OUT) per un segnale di uscita (vOUT); un substrato di materiale semiconduttore (202) drogato secondo un primo tipo di conduttività; uno strato elettricamente isolante (204) disposto su detto substrato (202); un condensatore di retroazione (Cf) integrato nella piastrina (200) e comprendente un primo elettrodo (3) collegato all'ingresso (IN) ed un secondo elettrodo (2) collegato all'uscita (OUT). Il secondo elettrodo (2) è formato da una regione conduttiva drogata (205) avente un secondo tipo di conduttività, opposto al primo tipo di conduttività, ed integrata nel substrato (202) in modo da risultare affacciata al primo elettrodo (3).
Dispositivo preamplificatore di carica e apparato di rivelazione di radiazioni comprendente il dispositivo
Filippo Mele;Giuseppe Bertuccio
2018-01-01
Abstract
È descritto un dispositivo preamplificatore di carica (100) integrato in una piastrina di materiale semiconduttore (200) comprendente: un ingresso (IN) per un segnale di ingresso (iIN) ed un’uscita (OUT) per un segnale di uscita (vOUT); un substrato di materiale semiconduttore (202) drogato secondo un primo tipo di conduttività; uno strato elettricamente isolante (204) disposto su detto substrato (202); un condensatore di retroazione (Cf) integrato nella piastrina (200) e comprendente un primo elettrodo (3) collegato all'ingresso (IN) ed un secondo elettrodo (2) collegato all'uscita (OUT). Il secondo elettrodo (2) è formato da una regione conduttiva drogata (205) avente un secondo tipo di conduttività, opposto al primo tipo di conduttività, ed integrata nel substrato (202) in modo da risultare affacciata al primo elettrodo (3).I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
