Voltage-controlled cycling endurance of HfOx-based resistive-switching memory

BALATTI, SIMONE;AMBROGIO, STEFANO;WANG, ZHONGQIANG;IELMINI, DANIELE
2015-01-01

2015
Cycling endurance; Device modeling; Memory reliability; Resistive-switching memory (RRAM); Electrical and Electronic Engineering; Electronic, Optical and Magnetic Materials
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