Room temperature laser operation of strained InGaAs/GaAs structure monolithically grown by MOCVD on LE-PECVD Ge/Si virtual substrate.
ISELLA, GIOVANNI;
2003-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.